半导体激光原理实验装置

更新时间：2024-04-15

产品型号：XRS11-WGL-2

厂家性质：经销商

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简要描述：

仪器参数

光学导轨，二维调节架，四维调节架
泵浦光源 808nm半导体激光器
指示光源 650nm半导体激光器
晶体 KPT Nd:YVO4
输出镜及滤光片
激光功率计指示

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详细介绍

半导体泵浦激光原理实验装置/半导体激光原理实验装置 型号：XRS11-WGL-2

仪器简介

　　适用于大学近代物理教学中非线性光学实验，本实验以808nm半导体泵浦Nd:YVO4激光器为研究对象，让学生自己动手，调整激光器光路，产生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕产生532nm倍频光，观察倍频现象，测量倍频效率，相位匹配角等基本参数。从而对激光原理及激光技术有一定了解。
　　实验原理同HAD1WGL-1型半导体泵浦激光原理实验装置，泵浦激光源强度连续可调，指示光源He-Ne激光器。

仪器参数

光学导轨，二维调节架，四维调节架
泵浦光源 808nm半导体激光器
指示光源 650nm半导体激光器
晶体 KPT Nd:YVO4
输出镜及滤光片
激光功率计指示

仪器介绍
WGL-2适用于大学近代物理教学中非线性光学实验，本实验以808nm半导体泵浦Nd：YVO4激光器为研究对象，让学生自己动手，调整激光器光路。在谐振腔中插入KTP晶体产生532nm倍频光，观察倍频现象，测量相位匹配角，阈值等基本参数。从而对激光原理及激光技术有一定的了解。

基本配置及参数：

编号	名称	规格	件数
1	导轨主体	长1m，硬铝型材	1
2	808半导体激光器	连续输出功率：500mW，中心波长：808±10nm，偏振态：TE	1
3	氦氖激光器	632.8nm，功率≤1mW	1
4	红外显示卡	可观察0.7~1.6μm的近红外光	1
5	KTP晶体	透过波段：0.35~4.5μm，电光系数：γ33=36Pm/V	1
6	Nd:YVO₄晶体	掺Nd3+浓度0.1~3.0 atm%，平面度<λ/10@632.8nm 镀膜：AR@1064nm，R<0.1%，HT@808nm，T>90%	1
7	光学元件	输出镜（R=50mm），滤光片	各1
8	光功率测试仪	2μW、20μW、200μW、2mW、 20mW、200mW六档功率范围3位半数字显示器	1
9	其他	光源架，四维调节架，二维调节架，光靶

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